技術名稱 單晶片量子點混合型微型發光二極體全彩畫素陣列
計畫單位 國立交通大學
計畫主持人 郭浩中
技術簡介 採用奈米尺度的蝕刻技術,在商用的綠光二極體磊晶片製作環形奈米結構,以應力釋放機制調變發光波長,於單一磊晶片上製作出綠光和藍光的微型發光二極體,並導入原子層沉積鈍化保護技術,大幅提升發光效率,最後結合高精準度的量子點噴塗技術,實現微米級RGB三原色的全彩畫素,本技術可望大幅減少巨量轉移的次數。
科學突破性 1. 單晶片集成式微型發光二極體RGB全彩畫素 (直徑僅10微米)2. 奈米結構蝕刻應用於發光二極體波長調變技術3. 原子層沉積技術提升元件光致發光強度達1404. 導入高均勻性、線寬小於2微米的高精密量子點噴塗技術5. 實現105的NTSC以及78的Rec. 2020色域,符合全彩
產業應用性 1. 集成式晶片可減少巨量轉移次數,提升製程良率及throughput2. 可應用於各類型顯示器、可見光通訊範疇3. 高精密度的噴塗技術可用於實現各種流體、膠體、薄膜甚至金屬線的製程,彌補傳統半導體製程無法適用的領域4. 原子層沉積技術可改善III-V族半導體因製程缺陷所導致效能不佳等問題
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  • 黃陳嵩文
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